霍爾接近開關(guān)，當(dāng)帶電流的金屬或半導(dǎo)體片層垂直放置在磁場中時，片層兩端會產(chǎn)生電位差。這種現(xiàn)象被稱為霍爾效應(yīng)。兩端的電位差稱為霍爾勢u，其表達(dá)式為u=kib/d，其中k為霍爾系數(shù)，I為通過薄板的電流，B為外加磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度(洛倫茲力)，d為薄板的厚度。

可以看出，霍爾效應(yīng)的靈敏度與外加磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比。霍爾元件屬于有源磁電轉(zhuǎn)換設(shè)備，是一種磁傳感器。它以霍爾效應(yīng)原理為基礎(chǔ)，采用一體化封裝裝配工藝。在實(shí)際應(yīng)用中，磁性輸入信號可以很容易地轉(zhuǎn)換為電信號。同時在工業(yè)應(yīng)用中具有操作簡單、可靠性高的要求。霍爾開關(guān)就是利用霍爾元件的這一特性制成的。其輸入以磁感應(yīng)強(qiáng)度B為特征，當(dāng)B的值達(dá)到一定電平(如B1)時，內(nèi)部觸發(fā)霍爾開關(guān)被反轉(zhuǎn)，輸出電平狀態(tài)霍爾開關(guān)也被反轉(zhuǎn)。輸出端一般采用晶體管輸出，類似于NPN、PNP、常開、常閉、鎖存式(雙極)及其他傳感器的雙信號輸出。霍爾開關(guān)具有無沖擊、功耗低、使用壽命長、響應(yīng)頻率高的特點(diǎn)。它集成了環(huán)氧樹脂密封和填充，所以它可以在各種惡劣的環(huán)境中可靠地工作。當(dāng)磁性物體靠近霍爾開關(guān)時，開關(guān)檢測面上的霍爾元件會產(chǎn)生霍爾效應(yīng)，開關(guān)內(nèi)部電路狀態(tài)會發(fā)生變化，從而識別附近是否存在磁性物體，進(jìn)而控制開關(guān)的通斷。接近開關(guān)檢測對象須是磁性物體。